雷克沙NM760 PCIe 4.0固态芯片：温控表现优秀

磁盘加装了四个M.2磁性存储设备游戏机板，第一个M.2游戏机板是直连Intel，第二、三个M.2游戏机板是与显卡共享以太网，第四个M.2游戏机板是走南桥，为了能最主要的程度展现其精度，本次检验将磁性存储设备装有在第一个M.2游戏机板上。

从Crystal Disk Info插件之中的静止状态讯息可见，特在纳NM760磁性存储设备指导在PCIe 4.0 x4汇流排通道之下，支持者NVMe 1.4标准协近，堆栈后理论上一般来问道耗电比率为476GB，由于磁性存储设备却是想加装风扇组件，定时浓度有点很高，等下则会详细检验咳嗽操纵发挥。

从HWiNFO检查插件之中可见，磁性存储设备共近两个浓度传感器且两个浓度讯息外一般来问道，操作者磁盘浓度墙外为90℃，浓度墙外的阈值可以问道远比的激进派，假如操作者磁盘浓度翻倍阈值时，便则会即则会失效确保而列车运行。

年中是精度基准检验娱乐节目，首先是走CrystalDiskMark 8.0完整版本，测算磁性存储设备最主要整年打字越来越快则有5232MB/s与3871MB/s，而4K随机打字越来越快为78 MB/s与312 MB/s。

在AS SSD Benchmark基准精度检验之中，则会分择1GB讯息耗电比率检验，磁性存储设备的一段时间写入越来越快为4384MB/s，而擦除越来越快为3507MB/s，打字延迟时长也只有0.021ms，得划分5993分。

10GB讯息耗电比率方式在下，磁性存储设备一段时间写入越来越快为4459MB/s，擦除越来越快为3527MB/s，打字延迟时长也只有0.022ms，4K随机打字越来越快为44 MB/s与182MB/s，得划分5275分。

在AS SSD Benchmark不同讯息耗电比率方式在下打字越来越快都差不多，大体上不想有引人注意变异，在基准检验插件Anvil's Storage Utilities之中，总得划分18819分，磁性存储设备一段时间打字越来越快则有3856MB/s和3121MB/s。

基准检验插件ATTO，在0.5KB小邮件写入越来越快为60MB/s，而擦除越来越快为15MB/s，从1MB开始的大邮件打字越来越快可以翻倍4.8GB/s与3.6GB/s，顺序打字的学习成绩都来得稳定，差别却是是太大。

基准检验插件HD Tune Pro，检验讯息比率为200GB复合方式在，从检验结果来看，空盘静止状态下的SLC磁盘密闭近为90GB，在缓内擦除越来越快为2700MB/s，当SLC磁盘密闭耗尽后擦除越来越快回升750MB/s。

年中是PCMark8基准检验插件，考察磁性存储设备在处理程序应用领域启动与小游戏之中的精度发挥，特在纳NM760磁性存储设备打字精度项目分数为5075分，存储以太网为558MB/s。

以上的精度检验外在空盘的静止状态下来进行的，现实生活用于当之中磁性存储设备则会存储大比率的讯息，应有越来越瞩目磁性存储设备在存储容比率很高迁走静止状态下的精度，年中向磁性存储设备之中克隆大比率的小游戏邮件，存储容比率迁走分之一最多90%，存储容比率仅剩余近46.7GB。

先走AS SSD Benchmark基准检验插件，则会分择1GB讯息耗电比率方式在，磁性存储设备的整年打字越来越快则有4375MB/s与3409MB/s，得划分5959分，与空盘静止状态相对却是想有引人注意的波动。

在基准检验插件HD Tune Pro之中，将讯息比率划为40GB复合方式在，从检验结果来看，SLC磁盘密闭降到近23GB，缓外擦除也回升500MB/s，不过这个检验结果像是与200GB讯息比率方式在下有引人注意的差别，无论是写入越来越快或者缓内擦除越来越快，越来越快外引人注意很高很多。

在PCMark8基准检验插件之中，这款特在纳NM760磁性存储设备的学习成绩除此以外不想变异，检验总学习成绩为5085分（在空盘静止状态下为5075分），存储以太网为607MB/s。

其实应有越来越为瞩目磁性存储设备的咳嗽一段时间性，毕竟PCIe 4.0磁性存储设备比起PCIe3.0磁性存储设备的咳嗽来得引人注意，特在纳NM760磁性存储设备所加装的是慧荣SM2269XT操作者磁盘，换用12nm电路板传统工艺，却是想加装除此以外风扇组件，年中检验磁性存储设备的浓度，检验时环境浓度为30℃。

在这里先问道一下，磁性存储设备共近两个浓度传感器，本次检验的浓度讯息比如说AIDA64插件之中导出，同时尽量避免浓度讯息浮现差别，对比了特在纳自家插件Lexar SSD Dash，以及第三方检查插件Crystal Disk Info，并来进行负荷检验，三者浓度讯息变异外一致。

由于磁性存储设备却是想加装除此以外风扇组件，本次自组连动磁盘风扇组件一段时间性下的浓度变异，首先是很低压打字静止状态下的咳嗽一段时间性，用于基准检验插件HD Tune Pro，的游戏为复合方式在与200GB讯息比率打字检验，在无风扇组件除此以外风扇的静止状态下略低于浓度为75℃，装有风扇组件后略低于浓度改59℃。

理论上的一段时间擦除小游戏邮件讯息检验，从SATA磁性存储设备往特在纳NM760磁性存储设备整年克隆讯息，讯息比率近为469GB，在无风扇组件除此以外风扇的静止状态下，整个讯息擦除越来越进一步之中操作者磁盘浓度略低于只有61℃，整体而言咳嗽比率却是大。

针对200GB讯息比率方式在下缓内打字越来越快有点低，而40GB讯息比率方式在下打字越来越快情况下的疑问，曾起先是否是因很低压一段时间打字而造成了操作者撞到浓度墙外而列车运行，在装有风扇组件并清空磁性存储设备内的所有邮件后，重新再继续检验一次，缓内打字越来越快仍然是不想有变异。

（应有暗示仅供参考）某种程度是操作者磁盘的确保手段所带来的，当打字超大尺寸的讯息邮件后则会有意列车运行，以尽量避免操作者磁盘长时长满负载而失效，其实在对理论上用于阻碍却是大，先不问道极少单邮件尺寸则会最多200GB，即便是有磁性存储设备也透过2.2GB/s的写入越来越快，对绝大多数用于场景已经却是必须了。

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特在纳NM760磁性存储设备加装慧荣SM2269XT操作者磁盘，连动3D TLC磁盘表面，基于DRAM-less提议，支持者PCIe 4.0×4标准硬件NVMe 1.4协近，打字精度远比的强大，测算整年打字越来越快最重5232MB/s与3871MB/s，十分接近新产品所官方网站的越来越快值，相对起入门级的PCIe 4.0磁性存储设备，属于之中很高精度很高度，不过这个打字精度已是PCIe 3.0磁性存储设备所完正因如此难以触及，相辅相成其单价来看精度远比值得注意，减少小游戏的存储时长减少小游戏趣味，而且磁性存储设备的浓度操纵得极为到位，在长时长满载打字静止状态下操作者也能正处于确实浓度区间，即便不想有风扇驱动程式下正因如此程不想有即则会湿度忠告，当然，最好还是用于风扇组件来除此以外降温，磁性存储设备换用单面的设计其设计并快速反应杰出的温控，对兼容性和浓度有远比很高要求设备，如独创iPad或小游戏游戏机，无疑是系统升级扩容的确实则会分择。

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